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　　导读：碳化硅可满足新能源行业的发展需求，这也容易为替代IGBT的最好方法，据悉目前意法半导体即将推出第三代碳化硅晶体管用于主要场景，以下是具体内容了。

　　碳化硅(Sic)功率器件的耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势可满足新能源行业的发展需求，直击电动车的“里程焦虑”与“充电焦虑”两大痛点，也被誉为替代IGBT的最佳人选。

　　日前，意法半导体中国宣布，正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶体管，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。

　　随着电动汽车市场加速发展，许多整车厂商和配套供应商都在采用 800V驱动系统，之所以采用 800V驱动系统这是以加快充电速度，帮助减轻电动汽车重量，新的800V系统能够帮助整车制造商生产行驶里程更长的汽车。

　　意法半导体的新一代SiC器件专门为这些高端汽车应用进行了设计优化，包括电动汽车动力电机逆变器、车载充电机、DC/DC变换器和电子空调压缩机。

　　官方表示，新一代产品还适合工业应用，可提高驱动电机、可再生能源转换器和储能系统、电信电源、数据中心电源等应用的能效。

　　意法半导体目前已完成第三代SiC技术平台相关标准认证，从该技术平台衍生的大部分产品预计在2021年底前达到商用成熟度。标称电压650V、750V至1200V的器件将上市，为设计人员研发从市电取电，到电动汽车高压电池和充电机供电的各种应用提供更多选择。首批上市产品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的SCT160N75G3D8AG。

　　以上就是关于IGBT不香了 意法半导体推出第三代碳化硅功率器件的全部内容了。